研究方向：
1. 超临界二氧化碳“干法”清洗技术的研究
清洗是集成电路制造工艺中极为重要的环节之一，主要是去除硅片表面的各种微粒、有机物及金属离子等污染物。在传统清洗工艺中使用的强酸、强碱、双氧水、三氯乙烯等化学试剂，有毒有腐蚀性，污染环境，并且随着芯片关键尺寸的不断缩小，芯片集成度和纵横比不断提高，传统的清洗工艺容易造成图形的坍塌，破坏多孔性的低介电常数（low-k）介电层，我们主要是研究新的方法替代传统的湿法清洗工艺，如以超临界二氧化碳（supercritical carbon dioxide, scCO2）为清洗介质，结合表面活性剂和共溶剂研究新的“干法”清洗技术。超临界二氧化碳粘度低，表面张力几乎为零，并且无毒、不易燃、价格低、化学惰性、对环境无污染，对不规则及高纵横比的器件清洗能力强，因此它是微电子加工工艺中非常有前景的水和有机溶剂的替代物。
2. ODS物质替代清洗技术
氟利昂、三氯乙烷、四氯化碳等有机溶剂广泛的应用在金属零件、印制电路板、液晶等的清洗中，但是由于它消耗大气中的臭氧层（称为臭氧消耗物质，Ozone Depleting Substance，ODS），是国际上限期停止生产和使用的物质。我们针对不同的清洗要求，研制出相应的清洗技术，达到清洗的目的。